750 V SiC MOSFET i TOLL-kapsling

Komponentene kombinerer lave koblingstap, temperaturstabil RDS(on) og flere kapslingsalternativer, inkludert TOLL-kapsling som nå introduseres i selskapets SiC-portefølje.

De nye transistorene er utviklet for anvendelser som ladeinfrastruktur for elbiler, solcellevekselrettere, industrielle drivsystemer, strømforsyninger til KI-datasentre og høyytelses databehandling, samt innebygde ladere og DC/DC-omformere. Ifølge Nexperia gir 750 V-spenningsklassen ekstra margin ved transiente hendelser og kan bidra til bedre systemytelse.

Komponentene er basert på trench-teknologi og skal tilby lave lednings- og koblingstap kombinert med stabil ytelse over et bredt temperaturområde. Selskapet trekker også fram rask svitsjing, temperaturstabil utkobling og en robust innebygget kapslingsdiode som egenskaper som gjør komponentene egnet for krevende hard-svitsjede topologier. Dette kan redusere kjølebehovet og øke virkningsgraden ved mellomstore og høye belastninger.

Et viktig nytt tilskudd er tilgjengeligheten i TOLL-kapsling (TO-Leadless). Denne overflatemonterte kapslingen er mye brukt i høyeffektapplikasjoner fordi den kombinerer kompakt fotavtrykk med lav parasittisk induktans. Dermed blir den godt egnet for konstruksjoner med høye krav til effekttetthet og høyfrekvent svitsjing. TOLL utvider Nexperias eksisterende tilbud av gjennomgående, toppkjølte og bunnkjølte kapslinger.

Den nye produktfamilien leveres både i industrielle versjoner og i AEC-Q101-kvalifiserte varianter for bilindustrien. Nexperia fremhever at dette gir kundene mulighet til å bruke samme SiC-teknologiplattform på tvers av flere effektomformertopologier og markedssegmenter.