750 V SiC MOSFET i TOLL-kapsling Nexperia utvider porteføljen av silisiumkarbidtransistorer (SiC) med en ny familie 750 V trench-MOSFET-er rettet mot industrielle applikasjoner og kjøretøyindustrien.
GaN og SiC for drivlinjer Nexperia og Aurobay vil utforske samarbeid om krafthalvledere til elektriske drivlinjer.
Vil utnytte batterikapasiteten bedre IAV og Nexperia tester ny høyspenningsarkitektur for elbilbatterier for å få mer effektiv utnyttelse av batteriets tilgjengelige energi.
Inngår MOSFET-samarbeid Den amerikanske foundry-aktøren Polar Semiconductor og halvlederselskapet Nexperia kunngjør et strategisk samarbeid om produksjon av neste generasjon effekt-MOSFET.
Små komponenter – store energimengder Energibehovet vil bli en stor utfordring i fremtiden, advarer Nexperias strategisjef. Selskapet leverer komponenter til sentrale markeder, som biler, energi og datasentre.
Klipsmonterte transistorer sparer plass Nexperia bringer fordelene med klipsmontertt FlatPower-pakke til transistorer med bipolar overgang, etter sigende et kompakt og kostnadseffektivt alternativ.
