N- og P-kanal MOSFET i én

Toshiba introduserer MOSFET-en SSM6L826R, en ny 30 V dobbel komponent som kombinerer både N‑kanal- og P‑kanal MOSFET i én kapsling. Løsningen retter seg mot applikasjoner som motorstyring og lastbrytere i strømforsyninger, hvor plass, effektivitet og forenklet design er viktige faktorer.

Den nye komponenten er basert på Toshibas UMOSVIIH-prosess for N‑kanalen og UMOSVI for P‑kanalen, og leveres i en kompakt TSOP6F-kapsling på 2,9 × 2,8 × 0,8 mm. Den flate leadstrukturen skal bidra til forbedret monteringsytelse og enklere integrasjon i tette design.

SSM6L826R skal gi lav drain-source motstand med maksimalt 46 mΩ for N‑kanalen (ved VGS = 10 V) og 45 mΩ for P‑kanalen (ved VGS = –10 V). De nesten identiske RDS(ON)-verdiene gir godt balanserte ledningstap, noe som kan forenkle kretsdesign og bidra til høyere energieffektivitet.

Ved å integrere begge MOSFET-typene i én kapsling reduseres behovet for eksterne komponenter, og dermed både kretskortareal og stykklist (BOM), ifølge produsenten. Dette gir en mer kompakt og kostnadseffektiv løsning, særlig i forbruker- og industrielt utstyr med høye krav til miniaturisering.

Komponenten er spesielt egnet for enfase BLDC-motorstyring, børstede DC-motorer og lastbrytere i strømforsyningslinjer.

Med lanseringen utvider Toshiba sitt utvalg av dual MOSFET-er i TSOP6F-kapsling, som nå omfatter både doble N‑kanaler, P‑kanaler og komplementære løsninger. Dette gir utviklere større fleksibilitet i valg av komponenter basert på applikasjonskrav.