Kraftelektronikk:
2300 V SiC MOSFET-moduler
Infineon lanserer nye høyspent SiC-effektmoduler for energisystemer.
Den tyske halvlederprodusenten Infineon Technologies AG har utvidet sin XHP 2-portefølje med nye effektmoduler basert på CoolSiC™ MOSFET-teknologi for høyspente energisystemer. De nye modulene i 2300 V-klassen er utviklet for DC-link-spenninger opptil 1500 V og retter seg mot applikasjoner der økende systemspenning og høy effekttetthet står sentralt.
Ifølge selskapet svarer lanseringen på en tydelig trend i markedet mot høyere driftsspenninger i blant annet fornybare energisystemer. De nye XHP 2 CoolSiC-modulene leveres i flere varianter med on-motstand (RDS(on)) fra 1 til 2 mΩ, samt isolasjonsspenning på enten 4 kV eller 6 kV.
Ved å benytte silisiumkarbid (SiC) i stedet for tradisjonell silisiumteknologi, reduseres både bryte- og ledningstap betydelig. Dette gir høyere virkningsgrad og økt effekttetthet i kraftelektroniske systemer, eller åpner for høyere svitsjefrekvens for å redusere harmoniske komponenter og systemstørrelse.
Infineon peker særlig på bruksområder innen vindkraft, solcelleanlegg og batterilagringssystemer, der kravene til kompakte, effektive og robuste inverterløsninger er økende. Med de nye modulene posisjonerer selskapet seg for neste generasjon høyspente energisystemer, der effektivitet og plassutnyttelse er avgjørende konkurransefaktorer.
