Nye 1Mb og 4Mb LPSRAM
Alliance Memory har utvidet sin portefølje av laveffekt asynkrone SRAM (LPSRAM).
De nye produktene er henholdsvis 1Mb og 4Mb komponenter med innebygd feilrettingskode (ECC). Sammenlignet med forrige generasjon komponenter skal de nye AS6CE1016A (1Mb) og AS6CE4016B (4Mb) tilby bedre failure in time (FIT) og mean time to failure (MTTF) karakteristikker, med redusert soft error rates (SER) for mer pålitelig drift i et bredt spekter av forbruker-, industrielle-, kommunikasjons- og medisinske anvendelser, for å nevne noen.
Innebygd ECC gir 1 bit korrigering per byte. Databevaringsspenning er 1,5 V, mens strømbehovet er henholdsvis 1 µA og 2µA.
Komponenten drives av en enkel spenningsforsyning på 2,7V til 3,6 V.
Alle innganger og utganger er TTL-kompatible, opplyser produsenten.
